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式中 K--最高工作電壓與額定電壓之比，K的取值見GB 311.1；
Ue--額定線電壓。
4.4 驗證爬電比距
由絕緣子串片數(shù)N和最高工作電壓可知爬電比距為：
 (7)
高海拔污區(qū)的爬電比距值見附錄C。若絕緣子串的爬電比距達(dá)不到要求值，則 須從爬電比距的角度考慮增加絕緣子片數(shù)或者采取其它的措施。
附 錄 A
高海拔污穢地區(qū)絕緣子外絕緣特性
(參 考 件)
A1 外絕緣特性
高海拔污穢地區(qū)的海拔高度和環(huán)境污染是導(dǎo)致絕緣子外絕緣強度降低的重要 因素。試驗證明，絕緣子的污閃電壓值隨鹽密增加而急劇降低，當(dāng)鹽密超過某一 值時，絕緣子的污閃電壓呈飽和趨勢；在相同鹽密時，絕緣子的污閃電壓隨著氣 壓的降低而降低。圖A1為交流電壓下絕緣子的污閃電壓與鹽密、氣壓的關(guān)系。
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