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附 錄 D
環(huán)境對(duì)電工電子產(chǎn)品的主要影響
(參考件)
本附錄摘自GB2421《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則》的附錄B“環(huán) 境試驗(yàn)的一般導(dǎo)則”。
暴露在環(huán)境中的產(chǎn)品受到的基本影響有：腐蝕、開(kāi)裂、脆化、潮氣的吸附或吸收、氧化等。這些影響可導(dǎo)致材料的物理和化學(xué)性質(zhì)的變化。
表D1中列出了單一環(huán)境因素主要影響及引起的典型故障，未列入的環(huán)境有：電磁場(chǎng)、爆炸大氣、核輻射和長(zhǎng)霉等。表D1中所列的各類(lèi)環(huán)境，在GB2423《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》系列標(biāo)準(zhǔn)中并非都有相應(yīng)的試驗(yàn)方法。
表 D1 單一環(huán)境的主要影響
續(xù)表D1
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